同步整流電源采用高性能、低導通電阻 MOS 管作為整流器件的全同步整流技術，極大地提高整流器效率。由于世界最先進的功率半導體器件飛速進步，高性能半導體器件不斷涌現;特別是近年來發展起來的高性能、低導通電阻、大電流 MOS 管，作為整流器件，具有導通電壓低(0.1-0.2V)，反向恢復損耗很低的特點，大幅度降低了整流損耗，極大提升了開關電源的整體效率。(低電壓大電流工作狀態)

真正的全軟開關技術使 IGBT 開關損耗降至最低。同步整流電源采用目前最先進的自適應諧振全橋 PWM 控制 IC，具備自適應零電壓延遲控制功能， 輔以高效諧振電感，從而使 IGBT 幾乎能在整個工作條件下都實現 ZVS，使 IGBT 的損耗降低 40%、同時改善了 EMC 特性，降低了對電網及電源本身的干擾。

同步整流電源選用超高頻、低飽和壓降 IGBT 作為主開關器件，降低 IGBT 的導通損耗。由于選用了超高頻低飽和壓降的大功率高電壓 IGBT，使第三代開關電源的工作頻率比第二代開關電源的工作頻率更高，減小了磁性材料的尺寸;同時低飽和壓降特性也降低了 IGBT 損耗。